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13个打工人，马上成为亿万富豪？ (3)

2026-06-01 07:31:41 A+A-

早期探索并不容易。在武汉新芯投产时，全球存储器行业处于低潮，市场开拓困难。中国城市经济学会副会长、湖北省社科院研究员秦尊文对《中国新闻周刊》回忆，项目早期“极其艰难”，技术、政策和市场条件都不成熟，长期处于亏损状态，“第一个十年，几乎是‘连滚带爬’走过来的”。

据《21世纪经济报道》报道，在2015年修改了30多轮申报方案的湖北省，最终“争”得了机会。2016年3月，总投资240亿美元的国家存储器基地落地武汉光谷，这在当时是湖北最大的单体投资高科技产业项目。同年7月，主攻3DNAND的长江存储作为基地项目实施主体设立，一期出资方包括国家大基金、湖北国芯产业投资基金、湖北科投。

此后，长江存储进入了国家战略的实施通道。公开信息显示，国家大基金一期、二期分别在2019年12月、2023年2月参投长江存储的早期融资，分别出资约136亿元、129亿元；其他出资方则含有省、市、区级国资背景。

合肥的路径延续了京东方项目“以投带引”的打法：地方国资以大额股权投资导入项目，企业负责市场化运营。

2016年5月，在创业初期就立志“做中国最大存储器公司”的兆易创新创始人朱一明与合肥市、经开区负责人就存储器项目的发展战略进行研讨，一个月后，长鑫存储成立，在兆易创新的业务基础上研发制造DRAM。

据兆易创新在2017年10月披露的合作协议，长鑫存储一期项目预算约180亿元，合肥产投与兆易创新根据4:1比例出资。据长鑫科技今年5月回复上交所问询的文件，在2020年第四季度前，长鑫科技是合肥国资委下属企业长鑫集成控制的国有企业。

十年来，两家企业逐步缩短与海外龙头厂商的技术代差。据韩国媒体ChosunBiz2025年7月报道，当时长江存储的量产NAND闪存层数已达270层，仅次于SK海力士的321层、三星电子的286层。长鑫科技在2025年11月发布DDR5和LPDDR5X产品，韩媒BusinessKorea评价，中韩在通用DRAM领域的技术差距已缩短至不到一年。但在更高端产品如HBM3（高带宽存储器）上，长鑫科技的进度较SK海力士、三星电子等仍落后3—4年。

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