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全球2纳米芯片竞赛:英特尔工艺遇挫 三星撬不动客户!(2)

消息人士指出,博通工程师似乎对英特尔18A的良率感到担忧,这意味着每片晶圆上的废品数量超过预期。

三星欲弯道超车

英特尔的18A工艺采用了RibbonFET晶体管和背面供电技术。其中RibbonFET加入背面功率传输技术,与三星和台积电在2纳米工艺上的GAA技术相比,前者在性能提升、降低电压方面效果更佳。

理论上讲,完美制作的英特尔1.8纳米芯片将比台积电和三星的2纳米芯片都要更有竞争力。但理论和现实通常不太一致。

而英特尔的进展不顺也意味着三星或者台积电更有可能摘得2纳米技术赛跑的金牌。可惜的是,同样试图弯道超车的三星也命途多舛。

据市场研究公司CounterpointResearch的数据,2024年第二季度,三星代工业务的市场份额仅占到13%,远远落后于台积电的62%,而这一差距与上一季度保持一致。

业内则预计,如果这一份额差距保持不变,三星的芯片代工业务将在今年亏损超过1万亿韩元,约7.5亿美元。而形成差距的主要原因在于,三星电子很难从台积电手中撬动大客户。

被垄断的3纳米市场

目前已投产技术中最先进的3纳米芯片市场上,台积电几乎做到了赢家通吃。台积电的3纳米产线今年一直保持满负荷状态,这都归功于英特尔、苹果、高通和联发科给予的大笔订单。

据了解,台积电的3纳米制程产能已经被预定到2026年,一批打算在今明两年更新消费电子产品的大厂正为了台积电的产能而你争我夺。

形成对比的是,台积电的3纳米芯片制程因为抢不到而在市场上不断涨价,目前其晶圆报价在20000美元以上;而三星的3纳米工艺却仍在低价促销。

而局面之所以完全导向台积电,良率在其中发挥了关键作用。

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