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SK海力士启动HBM3E内存量产,助力英伟达下一代AI芯片

SK海力士,全球领先的半导体制造商,近日宣布其最新的高带宽内存产品HBM3E已完成开发,并通过了英伟达历时半年的严格性能评估。这一进展标志着SK海力士将于3月开始大规模量产HBM3E内存,并计划在下月向英伟达交付首批产品。这一里程碑事件不仅展示了SK海力士在高性能内存技术领域的领导地位,也预示着英伟达下一代AI芯片“Blackwell”系列即将迎来的强大性能。

SK海力士启动HBM3E内存量产,助力英伟达下一代AI芯片

据悉,HBM3E内存的开发流程遵循了九个阶段的严格标准,SK海力士已经顺利完成了所有阶段的开发工作,并进入了最终的增产阶段。这意味着,从现在开始,所有生产的HBM3E内存都将准备好交付给英伟达。与此同时,SK海力士的竞争对手三星电子和美光也在向英伟达提供HBM3E样品,但他们的最终质量认证测试将延后至3月进行,这使得SK海力士在供应链中占据了先发优势。

这批HBM3E内存将被用于英伟达即将推出的“Blackwell”系列旗舰AI芯片B100中,预计该系列产品将于今年第二季度末或第三季度初正式亮相。随着NVIDIA在AI GPU市场占据超过90%的份额,以及SK海力士在全球HBM市场和大容量DRAM产品市场的领导地位,双方的合作无疑将进一步加速AI技术和应用的发展。

此外,以戴维・布莱克维尔命名的“Blackwell”系列不仅是对这位杰出科学家的致敬,也象征着英伟达对于科技创新和卓越成就的追求。随着HBM3E内存的大规模量产和即将到来的“Blackwell”系列产品,我们有理由相信,未来AI领域将迎来更多突破和创新。

(责任编辑:张佳鑫 0764)

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